“快充”無非就是快速充電器，它從某種意義上主要是用于補(bǔ)充充電技術(shù)進(jìn)步略慢的短板——那么既然無法在已有的體積下利用大幅增加電池容量的方式來改善續(xù)航水平，那就可以通過加速手機(jī)的充電速度來加強(qiáng)手機(jī)續(xù)航能力，比如當(dāng)初OPPO喊出來的創(chuàng)意廣告詞“充電五分鐘，通話兩小時(shí)”就能很好地表明快速充電帶來的快樂。#65W氮化鎵快充充電器#

現(xiàn)階段，快速充電通常都會(huì)與“氮化鎵”同時(shí)存在，什么原因氮化鎵可以擔(dān)此重任呢？

舉例說明，一般情況下常見的數(shù)碼產(chǎn)品，比如智能手機(jī)、平板電腦等所需的是一定額度以下的直流電，但是目前國家統(tǒng)一的額定電壓為220V，因而我們一定要把電廠輸送到家庭的220V交流電轉(zhuǎn)換成合適的直流電，這個(gè)時(shí)候就需要變壓器或充電器進(jìn)行轉(zhuǎn)換，沒有數(shù)碼產(chǎn)品可以例外。顯然，電力轉(zhuǎn)換技術(shù)在我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉薄６陔娏D(zhuǎn)換系統(tǒng)中，最為關(guān)鍵的一部分就是功率半導(dǎo)體元件，它性能的好壞將決定這個(gè)電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的優(yōu)劣。

為了能制作出好的功率半導(dǎo)體元件，就必須要采用合適的半導(dǎo)體材料。現(xiàn)階段較為常見的半導(dǎo)體材料為Si，但是經(jīng)過數(shù)十年的開發(fā)應(yīng)用，Si的潛力基本已經(jīng)發(fā)揮到極致，無法在性能上更進(jìn)一步，這便是氮化鎵（GaN）逐漸興起的原因之一。

氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)

好好看看氮化鎵的最基本特點(diǎn)，氮化鎵GaN與硅相比，擁有禁帶寬度大、臨界擊穿電場大、飽和電子漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。之所以能夠得到快速充電產(chǎn)業(yè)的青睞，主要原因有以下兩點(diǎn)：

一、熱性能卓越。因?yàn)楣杵骷男阅芟拗疲谥懈吖β蕬?yīng)用時(shí)，往往需要輔助被動(dòng)散熱（To封裝或散熱片），這也是造成開關(guān)電源體積增加的主要原因之一。氮化鎵器件在性能上遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋離日益陳舊的功率MOSFET器件，擁有更低導(dǎo)通電阻、更低電容、更大電流及卓越的熱性能。這種優(yōu)良特點(diǎn)，讓氮化鎵功率器件基本上可以完完全全擺脫傳統(tǒng)式的輔助被動(dòng)散熱方式，而依靠PCB覆銅、過孔搪錫等小范圍的方式實(shí)現(xiàn)散熱。拋棄了笨重的輔助被動(dòng)散熱設(shè)施，體積將可做得更為小巧。

二、GaN高頻率特點(diǎn)帶來高效。一般而言，要提升開關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度（即同等體積下，輸出功率越高），最先關(guān)注的是進(jìn)一步提高開關(guān)頻率，可以有效的減小變壓器、濾波電感、電容的體積，而GaN的材料性能剛好可以滿足這一要求。

綜合性而言，氮化鎵GaN元器件擁有通態(tài)電阻小、開關(guān)速度快、耐高溫、耐壓高性能好等特點(diǎn)，擁有硅元器件所不具備的優(yōu)點(diǎn)，的確特別適合采用在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。